2026–2032年GaN on Si HEMT外延片全球格局与中国洞察报告

根据 APO Research（河南阿谱尔国际信息咨询有限公司）的统计及预测，2026年全球GaN on Si HEMT外延片市场规模将为 亿美元，预计2032年将达到 亿美元，年复合增长率（CAGR）为 %（2026-2032）。地区层面来看，中国市场在过去几年变化较快，2025年市场规模为 亿美元，约占全球的 %，预计2032年将达到 亿美元，届时全球占比将达到 %。2025年全球GaN on Si HEMT外延片产量约达 千片，平均售价为 美元/片；单线产能平均达 千片，毛利率约为 %。

2026 年美国关税政策的演变显著抬升全球贸易环境的不确定性，正在成为重塑GaN on Si HEMT外延片市场竞争格局、区域经济联动和供应链布局的关键外生变量。本报告在系统梳理最新关税安排及主要经济体应对举措的基础上，评估其对价格体系、产能迁移与跨区域投资流向的潜在影响。

消费层面来说，目前 地区是全球最大的消费市场，2026年占有 %的市场份额，之后是 和 ，分别占有 %和 %。预计未来几年， 地区增长最快，2026-2032期间CAGR大约为 %。

生产端来看，北美和欧洲是两个重要的生产地区，2026年分别占有 %和 %的市场份额，预计未来几年， 地区将保持最快增速，预计2032年份额将达到 %。

从产品类型方面来看，4英寸占有重要地位，预计2032年份额将达到 %。同时就应用来看，GaN射频器件在2025年份额大约是 %，未来几年CAGR大约为 %。

从生产商来说，全球范围内，GaN on Si HEMT外延片核心厂商主要包括IQE、DOWA Electronics、CETC13、CETC55和Soitec (EpiGaN)等。2026年，全球第一梯队（Tier 1）厂商主要有 、、和 ，第一梯队占有大约 %的市场份额；第二梯队厂商有 、、和 等，第二梯队（Tier 2）共占 %市场份额。

本报告研究全球与中国GaN on Si HEMT外延片市场的产能、产量、销量、销售额、价格及未来趋势。重点分析全球与中国市场的主要厂商产品特点、产品规格、销量、价格、收入及全球和中国市场主要厂商的市场份额。历史数据为2021至2025年，预测数据为2026至2032年。

主要厂商包括：

• IQE
• DOWA Electronics
• CETC13
• CETC55
• Soitec (EpiGaN)
• NTT-AT
• BTOZ
• Episil-Precision Inc
• Epistar Corp
• 苏州晶湛半导体
• 英诺赛科
• 润新微电子
• 江苏能华微电子科技发展
• 青岛聚能创芯微电子
• 陕西宇腾电子科技

按照不同产品类型，包括如下几个类别：

• 4英寸
• 6英寸
• 其他

按照不同应用，主要包括如下几个方面：

• GaN射频器件
• GaN功率器件

重点关注如下几个地区:

• 北美
• 欧洲
• 中国
• 日本
• 韩国

本文正文共11章，各章节主要内容如下：

第1章： 报告范围、研究目标、研究方法、数据来源、数据交互验证；

第2章： 报告定义、统计范围、行业背景、发展历史、现状及趋势，全球总体供需现状、产品细分及主要下游市场；

第3章： 全球总体规模（产能、产量、销量、需求量、销售收入等数据，2021-2032年）

第4章： 全球范围内GaN on Si HEMT外延片主要厂商竞争分析，主要包括GaN on Si HEMT外延片产能、产量、销量、收入、市场份额、价格、产地及行业集中度分析；

第5章： 全球GaN on Si HEMT外延片主要厂商基本情况介绍，包括公司简介、GaN on Si HEMT外延片产品型号、销量、收入、价格及最新动态等；

第6章： GaN on Si HEMT外延片市场分析，按地区，包括销量、销售收入等；

第7章： 全球不同产品类型GaN on Si HEMT外延片销量、收入、价格及份额等；

第8章： 全球不同应用GaN on Si HEMT外延片销量、收入、价格及份额等；

第9章： 产业链、上下游分析、销售渠道分析等；

第10章： 市场动态、增长驱动因素、发展机遇、有利因素、不利及阻碍因素、行业波特五力模型分析等；

第11章： 报告结论。